半导体制造是当今世界最精密的工业之一。随着制程工艺从微米级向纳米级演进,晶圆上的线宽不断缩小,对生产环境尤其是清洗用超纯水的纯度要求达到了近乎苛刻的程度。超纯水贯穿晶圆清洗、光刻胶稀释、蚀刻和抛光等核心工序,是半导体制造中用量最大的“溶剂”。水中任何微量的污染物,都可能直接导致芯片短路、漏电或图案转移偏差,最终影响器件良率与性能。
电子级纯水TOC检测
超纯水(UPW)的TOC在线监测;晶圆清洗用水、CMP研磨液的有机物污染控制
半导体制造是当今世界最精密的工业之一。随着制程工艺从微米级向纳米级演进,晶圆上的线宽不断缩小,对生产环境尤其是清洗用超纯水的纯度要求达到了近乎苛刻的程度。超纯水贯穿晶圆清洗、光刻胶稀释、蚀刻和抛光等核心工序,是半导体制造中用量最大的“溶剂”。水中任何微量的污染物,都可能直接导致芯片短路、漏电或图案转移偏差,最终影响器件良率与性能。

半导体-电子级纯水TOC检测
半导体制造是当今世界最精密的工业之一。随着制程工艺从微米级向纳米级演进,晶圆上的线宽不断缩小,对生产环境尤其是清洗用超纯水的纯度要求达到了近乎苛刻的程度
超纯水(UPW)的TOC在线监测
在超纯水的众多污染物指标中,总有机碳(TOC)是关键的监测对象
针对半导体行业超纯水系统24小时不间断在线监测的需求,一韦仪器专门推出了TOC-6000电导率总有机碳分析仪。TOC-6000专为检测半导体厂区超纯水设计,对在线集成适配性与长期运行稳定性上进行了针对性优化
晶圆清洗用水的有机物控制
清洗是晶圆制造中最频繁的工序。清洗用水中的有机物残留(如光刻胶剥离剂、清洗剂残留)会直接导致清洗效果不佳,影响后续工艺。一韦仪器TOC-6300针对晶圆清洗环节的进水和排水进行痕量检测。
CMP研磨液的有机物污染控制
化学机械抛光(CMP)是半导体平坦化关键工艺。研磨液中的有机物(如分散剂、表面活性剂)含量需要精确控制,过量或不足均会影响抛光速率和晶圆表面缺陷。
一韦仪器TOC-6300能够适应CMP研磨液从浓液到废液的复杂有机碳浓度变化。通过监测研磨液中的TOC值,可有效评估有机物消耗与累积情况,辅助工艺参数优化,保障CMP工艺的稳定性与一致性
